瑞薩電子(Renesa電子競技運彩s Electronics)9日發行報導稿公佈，已研發出可採用在車載情報機械用SoC上的新款Dual Port類型SRAM產物，該款新型SRAM可知足主動駕駛專業所需的「實時記憶處置性能」。瑞薩指出，該款新型SRAM在藉由最先端16nm製程試作之後，證明可在07V的低電壓前提下，實現688ps(ps=1兆分之1秒)的高速動作以及世界最高級的36Mbitmm2高密度。
瑞薩表明，極度期望此次研發的新型SRAM可對前程進步駕駛輔導體制(Advanced Driver Assistance Systems；ADAS)或主動駕駛所要求的「實時記憶處置」的功能增加帶來重大功勞，且此次新研發的新型SRAM將採用在使用16nm FinFET製程的瑞薩最先端SoC上，且將盡早進行供貨。
瑞薩搶搭市場高度注目的自駕車風潮，提振股價逆勢狂飆。
依據嘉實XQ環球贏家體制報價，瑞薩9日收盤大漲238%，體現遠優於日經225指數的下挫8%，且瑞薩盤中漲幅最高一度達643%。
瑞薩上述新研發的新款SRAM將委由臺積電(2330)生產！？
日本媒體日刊工業報導曾在上年12月16日新聞，瑞薩已研發出一項新專業，藉由活用被稱為鰭式場效電晶體(FinFET)的先端半導體組織專業，勝利將半導體影像體「SRAM」的數據處置速度展示奔騰性的增長。新聞指出，瑞薩已應用臺積電臺灣工場的16nm製程專業生產出上玩運彩app更新述FinFET SRAM的試作品、並辦妥了功能測試，證明該FinFET SRAM的處置速度可較瑞薩現行產物提高30%以上水準、且耗電力可刪減40%。
據新聞，瑞薩透過臺積電所生產的FinF玩運彩比分比較ET SRAM試作品的最大特性即是可剎那處置大批的數據，預估將可利用於汽車的進步駕駛輔導體制(Advanced Drive玩運彩中獎心得r Assistance Systems；ADAS)或主動駕駛等用處。新聞指出，瑞薩計畫於2024年量產上述FinFET SRAM，並將採用在自家的車載情報機械用LSI上。
據嘉實XQ環球贏家體制的資料顯示，瑞薩為臺積電的客戶，瑞薩代辦商涵蓋敦吉(2459)、增你強(3028)、光菱(8032)運彩 讓分 不讓分、亞矽(6113)、文曄(3036)等，競爭同業涵蓋凌陽(2401)、偉詮電(2436)、笙泉(3122)、金麗科(3228)、遠翔科(3291)等。
