運彩 投注 時間 三星週三公佈，孑立領先業界運用10奈運彩 進洞米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產SRAM（靜態隨機存取影像體），意謂著三星10奈米製程專業能夠已經逾越臺積電（2330），甚至連晶片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。
SRAM速度比DRAM快，常被看成中心處置器（CPU）的快取影像體，藉以提高CPU存台灣運彩籃球教學取效率。臺積電與英特爾在SRAM製程專業上目前還差別停留在16與14奈米。
三星勝利開闢新世代SRAM，也典型其處置器製程工運彩賠率計算公式藝進階至10奈米的過程相當順利，估算有望在2024年頭進入普遍量產，將使三星爭搶處置器代工訂單佔得有利位置。（ETnes）
與14奈米SRAM比擬，10奈米可將128MB影像體單元運彩 12強儲存面積縮小375%，合作10奈米打造的處置器，不光運算機能加速且佔用空間更小。三星但願來歲底將10奈米辦妥商務化。
另有，三星還同時將平面NAND快閃影像體製程專業從16奈米推動至14奈米，將可減低生產本錢、改良營利率。東芝、美光目前還停留在15-16奈米製程階段，並以為這是平面NAND影像體工藝的極致，之後將朝3D堆疊成長。但是在三星做出衝破後，能夠平面NAND還有進一步延展的可能。
