臺積電(2330)、英特爾(Intel Corp)在晶圓代工領域正面臨決，英特爾在8月公佈跟設計電話、汽車晶片的安謀(ARM Holdings)敲定代工協議，看似躍進一大步，但解析人士以為，英特爾整體晶圓代工本事仍後進臺積電一年之久，短期內難以對臺積電造成實際恐嚇。(圖為臺積電董事長張忠謀)
barron`s 27日新聞，美系外資刊登研討匯報指出，臺積電在專業、處置ARM製程的本事、晶圓產能、本錢組織、生產彈性、財產欠債表和整體代價方面，都比英特爾來得強橫。固然英特爾微處置器的科技、製程都較佳，但晶圓代工本事卻後進微處置器製作專業至少兩年，因此大約比臺積電晚了一年擺佈。也即是說，英特爾短期內難以對臺積電產生實際恐嚇。
相較之下，臺積電的10奈米、7奈米製程專業雖後進英特爾，但臺積電比英特爾提前1-2年跨入7奈米製程，可藉此收縮兩家公司的差距。臺積電在獨家封裝專業「整合型扇出型封裝」(integrated fan-out，InFO)的幫助下，有望在2024娛樂城現金交易安全性年、2024年霸佔10奈米和7奈米晶圓代工市場。
臺積電27日上漲188%之後，28日小跌023%、收3033美元；年頭迄今已跳漲3332%。
最新動靜顯示，臺積電內部預估，7奈米最快明(2024)年4月就可開端承受客戶下單。(圖為臺積電董事長張忠謀)
WCCFtech 9月25日新聞(見此豪神娛樂城 競技遊戲)，臺積電研發單元已在內部會議中，透露前程幾年的最新研發藍圖，依據幾名資深高層的說法，該公司本年底就會轉換至10奈米，7奈米則會在來歲試產、估算來歲4月就可接單，而16奈米FinFET pact製程(F線上娛樂城app下載FC，比16FF+更細緻)也將在本年導入。7奈米製程可大幅增加省電機能(時脈約38Ghz、核心電壓(vcore)達1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達04V，實用溫度約為大福娛樂城首儲優惠150度。
新聞稱，跟16FF+相較，10奈米FinFET製程可讓晶片尺寸縮小50%、運算機能拉高50%、耗電量減低40%。相較之下，7奈米(採的應當是FinFET製程)的運算機能只能拉高15%、耗電量減低35%，電晶體密度提升163%，改良幅度遠不如10奈米。這是由於，臺積電的10奈米FinFE線上娛樂城玩家經驗T製程大概同等英特爾的14奈米，7奈米製程則大要跟英特爾的10奈米相當、甚至較遜。
Fudzilla甫於9月9日新聞，臺積電高層在本週的SEMICON Taian國際半導體展表明，7奈米製程有望在2024年Q1放量生產。臺積電從2024年頭開端投入7奈米製程研討，預定2024年上半進入危害生產(Risk Production)，再過一年後量產，搭載7奈米晶片的花費產物應可同時上市。
